IGBT H25R1203 BẾP TỪ 25A 1200V CHÂN CẮM
Tính năng sản phẩm:
– Transistor hiệu ứng trường ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường mà ta đã biết.
– Nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợn cho khuếch đại các nguồn tín hiệu yếu
– H25R1203 IGBT 25A 1200V T0-247 là linh kiện điện tử bán dẫn công suất 3 cực, Là một trong những transistor kích xung điều khiển rất quan trọng sử dụng trong bếp từ. Nhờ vào cấu tạo đặc biệt giúp H25R1203 có khả năng đóng cắt nhanh như một Mosfet, vừa có công suất chịu tải lớn như một transistor thường.
– H25R1203 IGBT 25A 1200V T0-247 được sử dụng nhiều trong các mạch nguồn mạch công suất bếp từ Midea, Sunhouse, Toshiba, Panasonic, Goldsun, bếp hồng ngoại, máy hàn điện, hàn chì, máy hàn sắt, thép, inox.
– Kiểm tra datasheet của sản phẩm: tại đây
Thông số kỹ thuật:
– Điện áp cực đại VCE = 1200V
– Dòng điện cực đại IC: 40A (ở nhiệt độ 25ºV) 25A (ở nhiệt độ 100ºC)
– Dải nhiệt độ hoạt động: -40ºC~175ºC
– VGE = 25V
– Thời gian trễ: 359ns
– Công suất: 310W
– Kiểu chân cắm: T0-247
– Khối lượng: 10g
IGBT H25R1203 BẾP TỪ 25A 1200V CHÂN CẮM
IGBT H25R1203 BẾP TỪ 25A 1200V CHÂN CẮM
KÍCH THƯỚC VÀ SƠ ĐỒ CHÂN IGBT H25R1203 BẾP TỪ 25A 1200V CHÂN CẮM
Sau khi bạn đặt mua hàng, chúng tôi sẽ gọi lại cho bạn vào giờ hành chính để xác nhận lại đơn hàng, phí vận chuyển và thời gian giao hàng.
Liên hệ chi tiết mua hàng:
Địa chỉ cửa hàng Robocon: số 121 Bùi Xương Trạch – Khương Đình – Thanh Xuân – Hà Nội
Hotline: 0989583012 – 0989138391
Giao hàng toàn quốc – Giao hàng nội thành Hà Nội trong ngày.
