Mô tả chi tiết
Thông số kỹ thuật:
Điện áp đánh thủng là 55V.
Điện áp VGS = +/-20V
Dòng chịu đựng trung bình là 110A.
Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 175oC.
Công suất: 200W
Mosfet IRF3205 là mosfet kênh N hay mosfet ngược.
Mosfet IRF3205 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet IRF3205 có công suất là 220W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa đóng mở.
Sơ đồ chân Mosfet IRF3205
G: Gate gọi là cực cổng
D: Drain gọi là cực máng
S: Source gọi là cực nguồn
Mosfet IRF3205 có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.
Mosfet IRF3205 thích hợp cho việc chuyển đổi DC sang AC hay DC. Thường ứng dụng trong UPS, inverter có biến thế thường.
Mosfet IRF3205
Sau khi bạn đặt mua hàng, chúng tôi sẽ gọi lại cho bạn vào giờ hành chính để xác nhận lại đơn hàng, phí vận chuyển và thời gian giao hàng.
Liên hệ chi tiết mua hàng:
Địa chỉ cửa hàng Robocon: số 121 Bùi Xương Trạch – Khương Đình – Thanh Xuân – Hà Nội
Hotline: 0989583012 – 0989138391
Giao hàng toàn quốc – Giao hàng nội thành Hà Nội trong ngày.