Bài tập Linh kiện điện tử – Tài liệu, ebook

3 a. Cho mạch ( hình 3 a ) : UP = – 4V ; IDSS = mA ; IG = 0. Xác định điểm thao tác tĩnh Q. và màn biểu diễn trên đặc tuyến truyền đạt. 3 b. Cho mạch ( hình 3 b ) : UP = – 1,5 V ; IDSS = 6 mA ; IG = 0. Xác định điểm thao tác tĩnh Q. và trình diễn trên đặc tuyến truyền đạt. 4 a. Cho mạch ( hình 4 ) : UT = 1V ; ID = 10 mA tại UGS = 5VX ác định điểm thao tác tĩnh Q. và trình diễn trên đặc tuyến truyền đạt

11 trang

| Chia sẻ : truongthinh92

| Lượt xem: 7428

| Lượt tải: 6

Bạn đang xem nội dung tài liệu Bài tập Linh kiện điện tử, để tải tài liệu về máy bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên

Đề c − ơng ôn tập CKĐT Chất bán dẫn. Câu 2. Nêu cấu trúc và quy trình dẫn điện của chất bán dẫn thuần. Câu 3. Nêu quy trình dẫn điện của chất bán dẫn pha tạp loại N và loại P. Diode bán dẫn. Câu 5. Trình bày cấu trúc, đặc tuyến V / A, và nguyên tắc hoạt động giải trí của Diode bán dẫn. Câu 6. Trình bày ứng dụng chỉnh l − u ( nửa và hai nửa chu kỳ luân hồi ) của Diode bán dẫn. Câu 7. Trình bày nguyên lý mạch hạn biên trên, hạn biên d − ới, hạn biên hai phía sử dụng Diode bán dẫn với tín hiệu vào hình sin. Câu 8. Nêu nguyên tắc thao tác, đặc tuyến V / A của Diode Zener. Transistor ( chính sách tĩnh dc ) Câu 9. Nêu cấu trúc của Transistor, những chính sách thao tác của Transistor. Câu 10. Nguyên tắc hoạt động giải trí của Transistor ở chế dộ khuếch đại. Câu 11. Nêu khái niệm đ − ờng tải tĩnh, điểm công tác làm việc tĩnh. Câu 12. Tại sao phải không thay đổi điểm thao tác tĩnh khi nhiệt độ đổi khác. Câu14. Các cách mắc BJT ở chính sách khuếch đại. Các sơ đồ phân cực cho BJT. Bài tập xác lập đ − ờng tải tĩnh, điểm thao tác tĩnh của những sơ đồ không thay đổi điểm thao tác Transistor tr − ờng FET. Câu 18. Nêu cấu trúc, nguyên tắc thao tác của JFET. Câu 19. Cấu tạo nguyên tắc thao tác của MOSFET. Câu 20. So sánh giữa transistor l − ỡng cực BJT và transistor tr − ờng FET. Các linh kiện bán dẫn khác. Câu 22. Trình bày nguyên tắc thao tác, đặc tuyến V / A của UJT Câu 26. Trình bày nguyên tắc thao tác, đặc tuyến V / A của SCR. Câu 27. Trình bày nguyên tắc thao tác, đặc tuyến V / A của DIAC. Câu 28. Trình bày nguyên tắc thao tác, đặc tuyến V / A của TRIAC BÀI TẬP DIODE Cho mạch như hỡnh vẽ xỏc định điện ỏp đầu ra ( ) io vfv = 1 a. VEVEtvi 6 ; 8 ; sin10 21 = = = ω ; Diode D1 và D2 là lý tưởng 1 b. VEVEtvi 4 ; 2 ; sin5 21 = = = ω ; Diode D1 và D2 cú Ω = = 10 ; 7,0 DD RVU 1 c. vi cú dạng xung tam giỏc biờn độ VEVEVUm 5 ; 3 ; 8 21 = = = ; Diode D1 và D2 là lý tưởng 1 d. vi cú dạng xung vuụng biờn độ VEVEVUm 2 ; 3 ; 5 21 = = = ; Diode D1 và D2 Ω = = 12 ; 7,0 DD RVU 2 a. VEVEtvi 2 ; 5 ; sin8 21 = = = ω ; Diode D1 và D2 là lý tưởng 2 b. VEVEtvi 1 ; 3 ; sin5 21 = = = ω ; Diode D1 và D2 cú Ω = = 10 ; 7,0 DD RVU 2 c. vi cú dạng xung tam giỏc biờn độ VEVEVUm 5 ; 2 ; 10 21 = = = ; Diode D1 và D2 là lý tưởng 3 a. VEtvi 5 ; sin8 = = ω ; Diode D là lý tưởng 3 b. VEtvi 2 ; sin5 = = ω ; Diode D cú Ω = = 10 ; 7,0 DD RVU 4 a. VEtvi 15 ; sin10 = = ω ; Diode D là lý tưởng 4 b. VEtvi 15 ; sin10 = = ω ; Diode D cú Ω = = 10 ; 7,0 DD RVU + + ~ vo vi R = 10 k Ω D2 D1 E 1 E2 + ~ vo vi R = 1 kΩ D E + + ~ vo vi 1 kΩ R2 R1 = 1 kΩ D2 D1 E1 E2 R3 = 1 kΩ + ~ vi vo R1 = 1 kΩ 2 kΩ R2 D E 5 a. VEtvi 5 ; sin10 = = ω ; Diode D là lý tưởng ; Ω = kR 10 5 b. VEtvi 5 ; sin10 = = ω ; Diode D cú Ω = = 10 ; 7,0 DD RVU ; Ω = kR 10 6 a. Xỏc định ( ) tfvo = ; biết tvRC i ωsin20 ; => > ; Diode D là lý tưởng 6 b. Xỏc định ( ) tfvo = ; biết >> RC ; vi cú dạng xung vuụng biờn độ VUm 10 = ; Diode D là lý tưởng BÀI TẬP BJT Bài 1. Cho mạch ( hỡnh 1 ) : VCC = 12V ; UBEQ = 0,7 V ; β = 100 RB = 100K Ω ; RC = 1K Ω ; RE = 500 Ω Xỏc định điểm cụng tỏc tĩnh và vẽ đường tải tĩnh Bài giải : Áp dụng định luật Kirchhoff II Vũng 1 : EEBEBBCC RIURIV .. + + = BCBE IIII ) 1 ( β + = + = hay : ( ) EBBEBBCC RIURIV. 1. β + + + = Vậy : ~ vo vi R D C R D + E vi ~ vo + E D R ~ vi vo + ~ vo vi R D E = 5V C Vcc RE RCRB Hỡnh 1 IB IE IC 1 2 ( ) EB BECC B RR UVI. 1 β + + − = ( ) ARR UV I EB BEQCC BQ àβ 56.1 = + + − = mAII BQCQ 6,556. 100. = = = β Vũng 2 : EECECCCC RIURIV .. + + = CE II ≈ nờn : ( ) ECCCECC RRIUV + + =. hay : ( ) ECCCCCE RRIVU + − =., Đõy chớnh là phương trỡnh đường tải tĩnh. ( ) VRRIVU ECCQCCCEQ 6,3. = + − = Điểm thao tác tĩnh ( ) CEQCQBQ UIIQ, , Bài 2. Cho mạch ( Hỡnh 1 ) VCC = 9V ; UBEQ = 0,7 V ; β = 80 ; RC = 1,2 KΩ ; RE = 470 Ω ; Xỏc định giỏ trị của RB để điểm thao tác tĩnh Q. nằm chớnh giữa đường tải tĩnh. Phương trỡnh đường tải tĩnh : ( ) ECCCCCE RRIVU + − =. mA RR VIU EC CC CCE 4,547,02,1 90 = + = + = → = VVUI CCCEC 90 = = → = Vậy : Để điểm thao tác tĩnh Q. nằm chớnh giữa đường tải tĩnh thỡ : VU AIImAI CEQ C BQC 5,4 7,337,2 = = = → = àβ Áp dụng Định luật Kirchhoff II cho vũng 1 : EEBEBBCC RIURIV .. + + = hay : ( ) EBBEBBCC RIURIV. 1. β + + + = Vậy Ω = kRB 208 Bài 3. Cho mạch ( Hỡnh 2 ) VCC = 6V ; UBEQ = 0,7 V ; β = 150 RB = 1,5 KΩ ; RC = 1K Ω ; RE = 1,8 KΩ Xỏc định điểm thao tác tĩnh Q. và vẽ đường tải tĩnh. Áp dụng định luật Kirchhoff II : Phương trỡnh nguồn vào : ( ) EEBEBBCCBCC RIURIRIIV … + + + + = ( ) BECB IIII. 1 β + = = + Vậy : ( ) ( ) ( ) [ ] ECBBBEECEBEBBCC RRRIURRIURIV + + + + = + + + =. 1 … β 1 >> β ( ) ( ) ARRR UV I ECB BEQCC BQ àβ 5,12. 1 = + + + − = mAII BQCQ 87,110. 5,12. 150. 3 = = = − β Phương trỡnh đầu ra : ( ) ECCCEEECECBCCC RRIURIURIIV + + ≈ + + + = .. ). ( ( ) ECCCCCE RRIVU + − =., đõy chớnh là phương trỡnh đường tải tĩnh. Vậy : ( ) VRRIVU ECCQCCCEQ 8,0. = + − = Bài 4. Cho mạch ( Hỡnh 3 ) VCC = 9V ; β = 100 ; UBEQ = 0,7 V RC = 1K Ω ; R1 = 1,8 KΩ ; R2 = 22K Ω Xỏc định điểm thao tác tĩnh Q. và vẽ đường tải tĩnh. Bài giải : Trong chính sách tĩnh, tụ ngăn thành phần một chiều, bỏ tụ. Đưa sơ đồ về dạng giống bài 3 : 21 RRRB + = + Vcc C1 Rc R2R1 Hỡnh 3 Hỡnh2 IC IB IE Bài 5. Cho mạch ( Hỡnh 4 ) VCC = 12V ; UBEQ = 0,7 V ; β = 200 ; R1 = 27K Ω ; R2 = 4,7 KΩ ; RE = 500 Ω ; RC = 1K Ω Xỏc định điểm cụng tỏc tĩnh Q. và vẽ đường tải tĩnh Đưa sơ đồ mạch về sơ đồ tương tự Thevenin : VV RR RV CCBB 78,1. 21 2 = + = Ω = + = k RR RRRB 4. 21 21 Áp dụng định luật Kirchhoff II : Phương trỡnh nguồn vào : EEBEBBBB RIURIV .. + + = ( ) ARR UV I EB BEQBB BQ àβ 10.1 = + + − = mAII BQCQ 210.10.200. 3 = = = − β Phương trỡnh đầu ra : ( ) ECCCEEECECCCC RRIURIURIV + + ≈ + + = … ( ) ECCCCCE RRIVU + − =., Đõy chớnh là phương trỡnh đường tải tĩnh ( ) VRRIVU ECCQCCCEQ 9. = + − = Hỡnh 4 IC IB IE IC IE IB + Vcc + VBB RE RB RC + Vcc RER2 R1 RC BÀI TẬP FET Bài 1. JFET kờnh n hoạt động giải trí trong miền bóo hũa ( miền thắt ) UP = – 3V ; IDSS = 9 mA ; IG = 0. Xỏc định điểm thao tác tĩnh Q. ( ID, UGS, UDS ) Biểu diễn điểm thao tác trờn đặc tuyến ra. Bài giải : Đõy là mạch phõn cực cho JFET kờnh đặt sẵn ( kờnh n ) hoạt động giải trí trong miền bóo hũa. Do IG = 0 nờn UGS = – 1V mA U UII P GS DSSD 41 2 =         − = VRIVU DDDDDS 51.49. = − = − = Bài 2. JFET kờnh n hoạt động giải trí trong miền bóo hũa. UP = – 3V ; IDSS = 6 mA ; IG = 0. Xỏc định điểm thao tác tĩnh Q. ( ID, UGS, UDS ) Biểu diễn điểm thao tác trờn đặc tuyến ra. Bài giải : Đõy là mạch phõn cực cho JFET kờnh đặt sẵn ( kờnh n ) hoạt động giải trí trong miền bóo hũa. Do IG = 0 nờn : SDGGGS RIVU. − = hay : S GSGG D R UVI − = ( 1 ) ) 2 ( 1 2         − = P GS DSSD U UII Từ ( 1 ) và ( 2 ), giải phương trỡnh bậc 2 : VUGS 2,2 − = mAI D 4,0 = VRRIVU SDDDDDS 2,4 ). ( = + − = + VDD = 9V RD = 1 kΩ RG = 0,8 MΩ VGG = – 1V + VDD = 6V RD = 4 kΩ VGG = – 2V RG = 1M Ω RS = 0,5 kΩ Bài 3. JFET kờnh n hoạt động giải trí trong miền bóo hũa. Xỏc định điểm thao tác tĩnh Q. Vẽ đường tải tĩnh và trình diễn điểm thao tác tĩnh Q. trờn đặc tuyến ra. UP = – 3V ; IDSS = 8 mA ; IG = 0. Bài giải : Theo định lý Thevenin : VV RR RV DDGG 4,2. 21 1 = + = Ω = + = M RR RRRG 12,0 21 21 Vẽ lại mạch : Đõy là mạch phõn cực cho JFET kờnh đặt sẵn ( kờnh n ) hoạt động giải trí trong miền bóo hũa. Do IG = 0 nờn : SDGGGS RIVU. − = hay : S GSGG D R UVI − = ( 1 ) ) 2 ( 1 2         − = P GS DSSD U UII Từ ( 1 ) và ( 2 ), giải phương trỡnh bậc 2 : Ta được DSDGS U, I, U Bài 4. MOSFET kờnh đặt sẵn ( kờnh n ) hoạt động giải trí trong chính sách nghốo. Xỏc định điểm thao tác tĩnh Q. Vẽ đường tải tĩnh và màn biểu diễn điểm thao tác tĩnh Q. trờn đặc tuyến ra UP = – 4V ; IDSS = 10 mA ; IG = 0. Theo định lý Thevenin : VV RR RV DDGG 2,3. 21 1 = + = + VDD = 6V RD = 1 kΩ RS = 500 Ω 0,3 MΩ 0,2 MΩ R2 R1 + VDD = 6V RD = 1 kΩ VGG = 2,4 V RG = 0,12 MΩ RS = 500 Ω + VDD = 16V RD = 1,5 kΩ RS = 0,5 kΩ 0,1 MΩ 0,4 MΩ R2 R1 Ω = + = M RR RRRG 8,0 21 21 Vẽ lại mạch : Đõy là mạch phõn cực cho MOSFET kờnh đặt sẵn ( kờnh n ) hoạt động giải trí trong chính sách nghốo. Do IG = 0 nờn : SDGGGS RIVU. − = hay : S GSGG D R UVI − = ( 1 ) ) 2 ( 1 2         − = P GS DSSD U UII Từ ( 1 ) và ( 2 ), giải phương trỡnh bậc 2 : VUmAIVU DSDGS 04,1 ; 48,7 ; 54,0 = = − = Bài 5. MOSFET kờnh n hoạt động giải trí trong chính sách giàu trong miền bóo hũa UT = 3V ; ID = 8 mA tại UGS = 5V. Xỏc định điểm thao tác tĩnh Q. Viết phương trỡnh và vẽ đường tải tĩnh. Bài giải : Chuyển sơ đồ mạch về sơ đồ tương tự Thevenin : VV RR RV DDGG 5. 21 1 = + = Ω = + = k RR RRRG 160 21 21 MOSFET hoạt động giải trí tại chính sách làm giàu kờnh dẫn, trong miền bóo hũa : Vẽ lại mạch : Do UT = 3V ; ID = 8 mA tại UGS = 5V ( ) 2 2 TGSD UUKI − = => K = … Với VGG = 5V, UT = 3V và K = … => + VDD = 25V RD = 2 kΩ RS = 500 Ω 0,8 MΩ 0,2 MΩ R2 R1 ( ) 2 2 TGSD UUKI − = ( 1 ) Định luật Kirchoff II nguồn vào : SDGSGG RIUV. + = ( 2 ) Định luật Kirchoff II tại đầu ra : ( ) DSSDDDD URRIV + + = ( 3 ) Đõy chớnh là phương trỡnh đường tải tĩnh. 1 a. Cho mạch nh − hình 1 : UP = – 2V ; IDSS = 10 mA ; IG = 0. Xác định điểm thao tác Q. và trình diễn trên đặc tuyến ra. 1 b. Cho mạch nh − hình 1 : điểm thao tác trong mìên thắt với ID = 4 mA, IG = 0 ; xác lập điện áp UDS. Nếu VGG = 0,2 V thì ID = 6 mA, xác lập điện áp thắt UP và dòng máng bão hoà IDSS. + VDD = 10V RD = 2 kΩ RG = 1M Ω – VGG = – 1V Hình 1 a + VDD = 12V RD = 1,5 kΩ RG = 500 kΩ – VGG = – 0,3 V Hình 1 b Hình 2 a + VDD = 15V RD = 4 kΩ – VGG = – 1V RG = 1M Ω RS = 1 kΩ Hình 2 b + VDD = 6V RD = 2 kΩ – VGG = – 1V RG = 10M Ω RS = 100 Ω + VDD = 12V RD = 1 kΩ RS = 500 Ω 8M Ω 2M Ω R2 R1 Hình 3 a 2 a. Cho mạch nh − hình 2 a : UP = – 2V ; IDSS = 8 mA ; IG = 0. Xác định điểm thao tác tĩnh Q. và màn biểu diễn trên đặc tuyến truyền đạt 2 b. Cho mạch nh − hình 2 b : IDSS = 4 mA ; UP = – 2V ; IG = 0. Xác định điểm thao tác tĩnh Q. và trình diễn trên đặc tuyến truyền đạt. 3 a. Cho mạch ( hình 3 a ) : UP = – 4V ; IDSS = mA ; IG = 0. Xác định điểm thao tác tĩnh Q. và màn biểu diễn trên đặc tuyến truyền đạt. 3 b. Cho mạch ( hình 3 b ) : UP = – 1,5 V ; IDSS = 6 mA ; IG = 0. Xác định điểm thao tác tĩnh Q. và trình diễn trên đặc tuyến truyền đạt. 4 a. Cho mạch ( hình 4 ) : UT = 1V ; ID = 10 mA tại UGS = 5V Xác định điểm thao tác tĩnh Q. và trình diễn trên đặc tuyến truyền đạt. 4 b. MOSFET kênh cảm ứng ( kênh n ) : RG = 750 kΩ có VT = 2,5 V. Nếu ID = 10 mA và UGS = 4V ; xác lập VGG ; RD ; và VDD để MOSFET thao tác tại : ID = 6 mA ; UDS = 3V. 4 c. Cho mạch ( hình 4 ) : UT = 1V ; ID = 8 mA tại UGS = 3,6 V Xác định điểm thao tác tĩnh Q. và trình diễn trên đặc tuyến truyền đạt. 5. Cho mạch ( hình 5 ) : MOSFET kênh có sẵn hoạt động giải trí trong chính sách làm giàu kênh dẫn với UT = 2V ; ID = 10 mA tại UGS = 3V. Xác định điểm thao tác tĩnh Q. và trình diễn trên đặc tuyến truyền đạt. + VDD = 6V RD = 1 kΩ RS = 1 kΩ 0,3 MΩ 0,1 MΩ R2 R1 Hình 3 b + VDD = 15V RD = 2 kΩ RS = 200 Ω 0,8 MΩ 0,2 MΩ R2 R1 Hình 4 a + VDD = 25V RD = 1,5 kΩ RS = 0,5 kΩ 0,1 MΩ 0,4 MΩ R2 R1 Hình 5 + VDD = 24V RD = 1,5 kΩ RS = 200 Ω 0,5 MΩ 0,1 MΩ R2 R1 Hình 4 c
Các file đính kèm theo tài liệu này :

• bai_tap_linh_kien_dien_tu_0211.pdf

Source: https://dichvubachkhoa.vn
Category : Linh Kiện Và Vật Tư