Điện dung – Wikipedia tiếng Việt

Nếu đặt vào hai bản cực dẫn điện của tụ điện một điện áp thì các bản cực này sẽ tích các điện tích trái dấu. Khoảng không gian này sẽ tích lũy một điện trường, điện trường này phụ thuộc vào điện dung của tụ điện.

Công thức tính[sửa|sửa mã nguồn]

Vậy, điện dung là đại lượng đặc trưng cho khả năng tích điện của tụ điện, được tính theo công thức

C
=

q
U

{\displaystyle C={\frac {q}{U}}}

{\displaystyle C={\frac {q}{U}}} hay

C
=

d
q

d
U

{\displaystyle C={\frac {dq}{dU}}}

{\displaystyle C={\frac {dq}{dU}}}

trong đó C là điện dung của tụ điện, đơn vị là Fara (F), theo đó thì 1F là điện dung của một tụ điện mà khi hiệu điện thế giữa hai bản tụ là 1V thì điện tích của tụ điện là 1C.

Công thức tính điện dung của tụ điện có cấu trúc đặc biệt quan trọng[sửa|sửa mã nguồn]

Với C là điện dung của tụ điện (F), ε là hằng số điện môi của lớp cách điện giữa hai bản tụ, ε₀, k là hằng số điện với

ε

0

=

1

4
π
k

{\displaystyle \varepsilon _{0}={\frac {1}{4\pi k}}}

{\displaystyle \varepsilon _{0}={\frac {1}{4\pi k}}}

k

9.10

9

N

m

2

C

2

{\displaystyle k\approx 9.10^{9}{\frac {Nm^{2}}{C^{2}}}}

{\displaystyle k\approx 9.10^{9}{\frac {Nm^{2}}{C^{2}}}}, ta có công thức tính điện dung của các tụ điện có cấu tạo đặc biệt như sau:

Tụ điện phẳng[sửa|sửa mã nguồn]

C = ε ε 0 S d = ε S bốn π k d { \ displaystyle C = { \ frac { \ varepsilon \ varepsilon _ { 0 } S } { d } } = { \ frac { \ varepsilon S } { bốn \ pi kd } } }{\displaystyle C={\frac {\varepsilon \varepsilon _{0}S}{d}}={\frac {\varepsilon S}{4\pi kd}}}

  • d là chiều dày của lớp cách điện hay khoảng cách giữa hai bản tụ (m).
  • S là diện tích bản tụ (m²).

Tụ điện trụ

[sửa|sửa mã nguồn]

C = 2 π giờ ε 0 ln ⁡ R 2 R một { \ displaystyle C = { \ frac { 2 \ pi giờ đồng hồ \ varepsilon _ { 0 } } { \ ln { \ frac { R_ { 2 } } { R_ { một } } } } } }{\displaystyle C={\frac {2\pi h\varepsilon _{0}}{\ln {\frac {R_{2}}{R_{1}}}}}}

  • h là chiều cao của bản tụ (m).
  • R₁ là bán kính tiết diện mặt trụ trong, R₂ là bán kính tiết diện mặt trụ ngoài.

Tụ điện cầu

[sửa|sửa mã nguồn]

C = bốn π ε 0 R một R 2 R 2 − R một { \ displaystyle C = { \ frac { bốn \ pi \ varepsilon _ { 0 } R_ { một } R_ { 2 } } { R_ { 2 } – R_ { một } } } }{\displaystyle C={\frac {4\pi \varepsilon _{0}R_{1}R_{2}}{R_{2}-R_{1}}}}

  • R₁ là bán kính mặt cầu trong, R₂ là bán kính mặt cầu ngoài.

Điện dung của 1 cỗ tụ điện[sửa|sửa mã nguồn]

Ghép song song:

C
=
Σ

C

i

{\displaystyle C=\Sigma C_{i}}

{\displaystyle C=\Sigma C_{i}}

Ghép nối tiếp:

1
C

=
Σ

1

C

i

{\displaystyle {\frac {1}{C}}=\Sigma {\frac {1}{C_{i}}}}

{\displaystyle {\frac {1}{C}}=\Sigma {\frac {1}{C_{i}}}}

Dung kháng của tụ điện[sửa|sửa mã nguồn]

Dung kháng của tụ điện: Zc = 1/ωC = 1/2πfC

Đối với tụ điện hài lòng ko có mẫu đi qua nhì tấm bạn dạng rất có nghĩa là tụ điện ko tiêu tốn hiệu suất. Nhưng thực tiễn nhưng vẫn có cái trường đoản cú rất nào là đi qua lớp điện môi tới rất đó của tụ điện, vì thế trọng tụ có sự hao tổn hiệu suất. Thường sự hao phí nào vô cùng bé & quả đât tầm thường đo góc hao tổn ( tgδ ) của tụ nhằm nhìn nhận tụ điện .Để giám sát, tụ điện đc đặc thù vì 1 tụ điện ưng ý & 1 thuần trở bận bịu tiếp nối đuôi nhau nhau ( so với tụ có hao tổn hạn chế ) hay bận rộn đi đôi có nhau ( so với tụ có hao phí to ), bên trên cửa hàng đấy xác lập góc hao tổn của tụ .

  • Tipler, Paul (1998). Physics for Scientists and Engineers: Vol. 2: Electricity and Magnetism, Light (4th ed.). W. H. Freeman. ISBN 1-57259-492-6
  • Serway, Raymond; Jewett, John (2003). Physics for Scientists and Engineers (6 ed.). Brooks Cole. ISBN 0-534-40842-7
  • Saslow, Wayne M.(2002). Electricity, Magnetism, and Light. Thomson Learning. ISBN 0-12-619455-6. See Chapter 8, and especially pp. 255–259 for coefficients of potential.

Có thể bạn quan tâm
© Copyright 2008 - 2016 Dịch Vụ Bách khoa Sửa Chữa Chuyên nghiệp.
Alternate Text Gọi ngay