Tài liệu GTO (GATE TURN OFF THYRISTOR ) pptx

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (250.76 KB, 12 trang )

Điện tử công suất 1
1.8 GTO (GATE TURN OFF THYRISTOR )

GTO có cấu tạo gồm bốn lớp pnpn tương tự với thyristor thông thường (SCR)-
hình H1.26a, với các tính năng tương tự của thyristor với điểm khác biệt là có thể điều
khiển ngắt dòng điện qua nó. Mạch tương đương GTO được vẽ trên hình H1.26b có
1-24
Điện tử công suất 1
cấu trúc tương tự mạch mô tả SCR nhưng có thêm cổng kích ngắt mắc song song
cổng kích đóng. Ký hiệu linh kiện GTO vẽ trên hình H1.26c. Cấu trúc thực tế (loại
GTO đối xứng) vẽ trên hình H1.26d.
GTO được kích đóng bằng xung dòng điện tương tự như khi kích đóng
thyristor thông thường. Dòng điện kích đóng được tăng đến giá trò I
GM
và sau đó giảm
xuống đến giá trò I
G
. Điểm khác biệt so với yêu cầu xung kích đóng SCR là dòng
kích i
G
phải tiếp tục duy trì trong suốt thời gian GTO dẫn điện.

Để kích ngắt GTO, xung dòng điện âm lớn được đưa vào cổng G – cathode
với độ dốc (di
GQ

/dt) lớn hơn giá trò qui đònh của linh kiện, nó đẩy các hạt mang điện
khỏi cathode, tức ra khỏi emitter của transistor pnp và transistor npn sẽ không thể
hoạt động ở chế độ tái sinh. Sau khi transistor npn tắt, transistor pnp còn lại sẽ hoạt
động với cổng kích đóng ở trạng thái mở và linh kiện trở về trạng thái không dẫn
điện. Tuy nhiên, dòng điện yêu cầu mạch cổng G để tắt GTO có giá trò khá lớn. Trong
khi xung dòng điện cần đưa vào cổng để kích đóng GTO chỉ cần đạt giá trò khoảng
3-5%, tức khoảng 30A với độ rộng xung 10
µ
s đối với loại linh kiện có dòng đònh mức
1000A thì xung dòng điện kích cổng để ngắt GTO cần đạt đến khoảng 30-50%, tức
khoảng 300A với độ rộng xung khoảng 20-50
µ
s. Mạch cổng phải thiết kế có khả
năng tạo xung dòng kích tối thiểu đạt các giá trò yêu cầu trên (I
GQM
). Điện áp cung
cấp mạch cổng để tạo xung dòng lớn vừa nêu thường có giá trò thấp, khoảng 10-20V
với độ rộng xung khoảng 20-50
µ
s, năng lượng tiêu tốn cho việc thực hiện kích ngắt
GTO không cao. Qúa trình điện áp và dòng điện mạch anode và mạch cổng khi kích
1-25
Điện tử công suất 1
đóng GTO và kích ngắt nó được mô tả trên hình H1.27c,d. Năng lượng kích ngắt
GTO nhiều gấp 10-20 lần năng lượng cần cho qúa trình kích đóng GTO. Điểm bất
lợi về mạch kích ngắt là một nhược điểm của GTO khi so sánh nó với IGBT. Hệ quả
là thời gian ngắt dòng điện kéo dài, khả năng chòu di/dt, dv/dt kém, mạch bảo vệ khi
kích đóng và kích ngắt làm tăng chi phí lắp đặt cũng như làm công suất hổn hao tăng
lên. Do khả năng kích ngắt chậm nên GTO được sử dụng trong các bộ nghòch lưu
điều chế độ rộng xung (PWM) với tần số đóng ngắt thấp. Tuy nhiên, điều này chấp

nhận được trong các ứng dụng công suất lớn. Mạch điều khiển kích ngắt GTO có giá
thành tương đương giá thành linh kiện.
Độ sụt áp của GTO khi dẫn điện cao hơn khoảng 50% so với thyristor nhưng
thấp hơn 50% so với IGBT với cùng đònh mức. GTO có khả năng chòu tải công suất
lớn hơn IGBT và được ứng dụng trong các thiết bò điều khiển hệ thống lưới điện
(FACTS Controller) đến công suất vài trăm MW.
GTO được chia làm hai loại – loại cho phép chòu áp ngược (symmetrical), và
loại “nối tắt anode” (anode short GTO thyristor) chỉ có khả năng khoá áp thuận trò số
lớn. Loại thứ nhất có cấu trúc giống như SCR, có khả năng chòu được áp khóa và áp
ngược với giá trò lớn gần như nhau. Lọai thứ hai- GTO có anode nối tắt, có một phần
lớp J
1
bò nối tắt nhờ lớp n+ (H.26e). Do đó, khả năng khóa áp ngược của lọai GTO
này kém, bằng khả năng chòu áp ngược của lớp J
3
(khoảng dưới 15V). Tuy nhiên, bù
lại, cấu tạo của nó cho phép đạt được khả năng chòu áp khóa và dòng điện lớn cũng
như khả năng giảm sụt áp khi dẫn điện và nó thích hợp cho các ứng dụng đòi hỏi tần
số đóng ngắt lớn nhưng không cần khả năng chòu áp ngược cao (chẳng hạn các bộ
nghòch lưu áp). Để tăng cường hiệu quả sử dụng, các GTO còn được chế tạo với
diode ngược tích hợp trong linh kiện (reverse conducting GTO Thyristor hoặc
asymmetric GTO). Cấu tạo linh kiện gồm phần GTO có anode đối xứng và phần gọi
là diode phục hồi nhanh (fast recovery diode) – xem hình H1.26f, cho phép linh kiện
dẫn dòng điện ngược mà không cần lắp đặt diode ngược ở ngòai linh kiện, làm giảm
kích thước và khối lượng mạch điện sử dụng GTO

Mạch bảo vệ
Linh kiện GTO cần phải có mạch bảo vệ. Quá trình ngắt GTO đòi hỏi sử dụng
xung dòng kích đủ rộng. Điều này dẫn đến thời gian ngắt dài, khả năng di/dt và dv/dt
của GTO thấp. Vì thế, cần phải giới hạn các trò số hoạt động không vượt quá giá trò an

toàn trong quá trình ngắt GTO. H1.28 vẽ mạch bảo vệ GTO trong quá trình ngắt. Tụ
điện C dùng để bảo vệ GTO trong quá trình kích ngắt phải có giá trò điện dung lớn
hơn giá trò qui đònh của nhà sản xuất, đạt đến độ lớn khoảng vài
µ
F. Ngoài ra, GTO
đòi hỏi mạch bảo vệ chống hiện tượng tăng nhanh dòng điện khi đóng.
Diode của mạch bảo vệ phải có khả năng chòu gai dòng lớn bởi vì trong quá
trình sẽ xuất hiện dòng có biên độ lớn qua diode và tụ điện. Điện trở mạch bảo vệ có
trò số nhỏ và đảm bảo tụ xả điện hoàn toàn trong khoảng thời gian đóng ngắn nhất
của GTO khi vận hành. Khi GTO đóng, năng lượng tích trữ trên tụ sẽ phải tiêu tán hết
trên điện trở này. Vì thế, giá trò đònh mức công suất của điện trở khá cao.
Mỗi GTO có một giá trò dòng được điều khiển cực đại mà nếu vượt quá thì
không thể ngắt nó bằng xung dòng ngược ở cổng Gate. Nếu trong quá trình vận hành
bộ biến đổi công suất sử dụng GTO như linh kiện đóng ngắt, sự cố có thể xảy ra (ví
1-26
Điện tử công suất 1
dụ như ngắn mạch) gây nên hiện tượng quá dòng, hệ thống bảo vệ phải được thiết kế
để nhận biết sự cố và ngắt GTO để bảo vệ linh kiện. Nếu như giá trò dòng qua GTO
khi sự cố xảy ra thấp hơn trò số dòng cực đại thì có thể ngắt GTO bằng xung dòng
cổng âm điều khiển với biên độ thích hợp. Nhưng nếu giá trò dòng sự cố vượt quá giá
trò bảo vệ bằng xung dòng âm, cần sử dụng mạch “bảo vệ kiểu đòn bẩy“ (gồm khóa
công suất mắc song song với linh kiện GTO). Nguyên lý hoạt động của mạch bảo vệ
là tạo ngắn mạch nguồn cấp điện cho GTO bằng cách kích đóng một SCR mắc song
song với linh kiện GTO. Dòng ngắn mạch làm chảy cầu chì và cắt linh kiện GTO khỏi
nguồn. Điều đó được minh họa trên H1.29.

Trong những năm gần đây, GTO trở thành linh kiện đóng ngắt đươc sử dụng
rộng rãi cho các mạch công suất lớn: một GTO loại “nối tắt anode” có giá trò đònh
mức áp khoảng 4500V và đònh mức dòng 6000A. Các giá trò tương ứng của loại GTO

cho phép dẫn dòng ngược là 4500V và 3000A (Mitsubishi 1998). Điện áp đặt trên
GTO khi dẫn điện thường cao hơn SCR (2-3V). Tốc độ đóng ngắt từ vài µs đến 25µs.
Tần số đóng ngắt khoảng 100Hz đến 10kHz.
Linh kiện công suất sẽ trở nên chất lượng cao nếu cho độ sụt áp thấp khi dẫn
điện (như thyristor), yêu cầu mạch điều khiển đơn giản và khả năng ngắt dòng nhanh
(như IGBT). Hiện nay, một số linh kiện như vậy đã xuất hiện trên thò trường vàù chúng
có khả năng thay thế dần GTO. Chúng có thể xem là những dạng cải tiến của GTO,
chế tạo theo nguyên lý khối tích hợp (Power Electronics Building Block- PEBB) nhằm
giảm bớt các yêu cầu về mạch kích và làm tăng khả năng ngắt nhanh. Các linh kiện
này gồm MTO (MOS Turn-Off Thyristor), ETO (Emitter Turn-Off Thyristor) và IGCT
(Integrated Gate-Commutated Thyristor).
Bảng B1.7: Các thông số cơ bản của GTO FG1000BV-90DA (Mitsubishi)

Thông số Độ lớn Ghi chú
V
DRM
4.500V Điện áp khóa đỉnh lập lại tuần hoàn cực đại (Repetitive peak off state
voltae)
I
T(AV)
400A Dòng trung bình (f=60Hz dạng sin, góc dẫn 180
0
)
di/dt max 1000A/
sµ
Tốc độ tăng dòng khi đóng cực đại
I
TQRM

1000A

Giá trò dòng thuận cực đại mà linh kiện có thể điều khiển ngắt được
(mạch bảo vệ C
s
=0,7
µ
F,L
s
=0,3
µ
H). Linh kiện có thể bò hỏng nếu nó
thực hiện kích ngắt dòng điện lớn hơn I
TQRM

V
RRM
17V Điện áp ngược đỉnh cực đại cho phép
V
TM
Max. 4V Điện áp thuận cực đại
1-27
Điện tử công suất 1
I
RRM
Max. 100mA Dòng ngược cực đại (tương ứng ới V
RRM
)
I
DRM

Max. 100mA Dòng thuận cực đại ở trạng thái khóa.
t
gt
Max. 10 s
µ
Thời gian trễ khi đóng
t
gq
Max. 20 s
µ
Thời gian trễ khi ngắt.
I
GQM
300A Dòng kích ngắt qua cổng G
V
GT
Max. 1,5V Điện áp cổng khi kích đóng
I
GT
Max.
2500mA
Dòng điện cổng khi kích đóng

1.9 IGCT (INTEGRATED GATE COMMUTATED THYRISTOR)
Cấu tạo và chức năng:
Sự cải tiến công nghệ chế tạo GTO thyristor đã dẫn đến phát minh công
nghệ IGCT.
GCT –Gate –Commutated Thyristor là một dạng phát triển của GTO với khả
năng kéo xung dòng điện lớn bằng dòng đònh mức dẫn qua cathode về mạch cổng

trong 1
để đảm bảo ngắt nhanh dòng điện. Cấu trúc của GCT và mạch tương
đương của nó giống như của GTO.
sµ
IGCT là linh kiện gồm GCT và có thêm một số phần tử hỗ trợ, bao gồm cả
board mạch điều khiển và có thể gồm cả diode ngược.
Để kích đóng GCT, xung dòng điện được đưa vào cổng kích làm đóng GCT
tương tự như trường hợp GTO.
Để kích ngắt GCT, mối nối pn base-emitter được phân cực ngược bằng
cách cung cấp điện áp nguồn ngược chiều. Điều này làm triệt tiêu dòng điện qua
cathode vì toàn bộ dòng điện đi qua cathode sẽ được đẩy sang mạch cổng với tốc độ
rất nhanh và biến GCT trở thành một transistor pnp.
Để có thể tạo dòng điện qua mạch cổng tăng nhanh và đủ lớn, GCT (IGCT)
được chế tạo đặc biệt để giảm cảm kháng mạch cổng (mạch vòng cổng điều khiển –
cathode) đến giá trò nhỏ nhất.
Vấn đề mấu chốt của GCT là tạo khả năng tăng nhanh dòng điện qua cổng.
Điều này đạt được bằng ống dẫn điện đồng trục qua mạch cổng- cathode và công
nghệ mạch điều khiển nhiều lớp (multilayer). Chúng cho phép dòng cổng tăng với
tốc độ 4kA/
khi điện thế cổng- cathode ở mức 20V. Trong thời gian 1,
transistor npn của GTO bò ngắt hoàn toàn và cực cổng của transistor pnp còn lại bò
mở làm GCT bò ngắt. Do việc ngắt thực hiện bằng xung dòng rất ngắn nên công suất
tổn hao mạch cổng được giảm đến mức tối thiểu. Công suất tiêu thụ của GCT giảm
đi khoảng 5 lần so với trường hợp GTO.
sµ sµ
Lớp p phía anode được làm mỏng và làm giàu hạt mang điện chút ít để cho
phép khử các hạt mang điện phía anode nhanh hơn trong thời gian ngắt. IGCT có thể
tích hợp diode ngược bằng mối nối n
+
n

–
p được vẽ bên phải của hình H1.30. Diode
ngược cần thiết trong cấu tạo của các bộ nghòch lưu áp.
Quá trình ngắt dòng điện của GCT bởi tác dụng xung dòng kích cổng được
vẽ minh họa trên hình H1.32. Để có thể so sánh với quá trình ngắt dòng của GTO, đồ
thò của dòng cổng được vẽ cho hai trường hợp.
Khả năng chòu tải
1-28
/ dt ) lớn hơn giá trò qui đònh của linh kiện, nó đẩy những hạt mang điệnkhỏi cathode, tức ra khỏi emitter của transistor pnp và transistor npn sẽ không thểhoạt động ở chính sách tái sinh. Sau khi transistor npn tắt, transistor pnp còn lại sẽ hoạtđộng với cổng kích đóng ở trạng thái mở và linh kiện quay trở lại trạng thái không dẫnđiện. Tuy nhiên, dòng điện nhu yếu mạch cổng G để tắt GTO có giá trò khá lớn. Trongkhi xung dòng điện cần đưa vào cổng để kích đóng GTO chỉ cần đạt giá trò khoảng3-5 %, tức khoảng chừng 30A với độ rộng xung 10 s so với loại linh kiện có dòng đònh mức1000A thì xung dòng điện kích cổng để ngắt GTO cần đạt đến khoảng chừng 30-50 %, tứckhoảng 300A với độ rộng xung khoảng chừng 20-50 s. Mạch cổng phải phong cách thiết kế có khảnăng tạo xung dòng kích tối thiểu đạt những giá trò nhu yếu trên ( IGQM ). Điện áp cungcấp mạch cổng để tạo xung dòng lớn vừa nêu thường có giá trò thấp, khoảng chừng 10-20 Vvới độ rộng xung khoảng chừng 20-50 s, nguồn năng lượng tiêu tốn cho việc triển khai kích ngắtGTO không cao. Qúa trình điện áp và dòng điện mạch anode và mạch cổng khi kích1-25Điện tử hiệu suất 1 đóng GTO và kích ngắt nó được miêu tả trên hình H1. 27 c, d. Năng lượng kích ngắtGTO nhiều gấp 10-20 lần nguồn năng lượng cần cho qúa trình kích đóng GTO. Điểm bấtlợi về mạch kích ngắt là một điểm yếu kém của GTO khi so sánh nó với IGBT. Hệ quảlà thời hạn ngắt dòng điện lê dài, năng lực chòu di / dt, dv / dt kém, mạch bảo vệ khikích đóng và kích ngắt làm tăng ngân sách lắp ráp cũng như làm hiệu suất hổn hao tănglên. Do năng lực kích ngắt chậm nên GTO được sử dụng trong những bộ nghòch lưuđiều chính sách rộng xung ( PWM ) với tần số đóng ngắt thấp. Tuy nhiên, điều này chấpnhận được trong những ứng dụng hiệu suất lớn. Mạch tinh chỉnh và điều khiển kích ngắt GTO có giáthành tương tự giá tiền linh kiện. Độ sụt áp của GTO khi dẫn điện cao hơn khoảng chừng 50 % so với thyristor nhưngthấp hơn 50 % so với IGBT với cùng đònh mức. GTO có năng lực chòu tải công suấtlớn hơn IGBT và được ứng dụng trong những thiết bò tinh chỉnh và điều khiển mạng lưới hệ thống lưới điện ( FACTS Controller ) đến hiệu suất vài trăm MW.GTO được chia làm hai loại – loại được cho phép chòu áp ngược ( symmetrical ), vàloại “ nối tắt anode ” ( anode short GTO thyristor ) chỉ có năng lực khoá áp thuận trò sốlớn. Loại thứ nhất có cấu trúc giống như SCR, có năng lực chòu được áp khóa và ápngược với giá trò lớn gần như nhau. Lọai thứ hai – GTO có anode nối tắt, có một phầnlớp Jbò nối tắt nhờ lớp n + ( H. 26 e ). Do đó, năng lực khóa áp ngược của lọai GTOnày kém, bằng năng lực chòu áp ngược của lớp J ( khoảng chừng dưới 15V ). Tuy nhiên, bùlại, cấu trúc của nó được cho phép đạt được năng lực chòu áp khóa và dòng điện lớn cũngnhư năng lực giảm sụt áp khi dẫn điện và nó thích hợp cho những ứng dụng yên cầu tầnsố đóng ngắt lớn nhưng không cần năng lực chòu áp ngược cao ( ví dụ điển hình những bộnghòch lưu áp ). Để tăng cường hiệu suất cao sử dụng, những GTO còn được sản xuất vớidiode ngược tích hợp trong linh kiện ( reverse conducting GTO Thyristor hoặcasymmetric GTO ). Cấu tạo linh kiện gồm phần GTO có anode đối xứng và phần gọilà diode hồi sinh nhanh ( fast recovery diode ) – xem hình H1. 26 f, được cho phép linh kiệndẫn dòng điện ngược mà không cần lắp ráp diode ngược ở ngòai linh kiện, làm giảmkích thước và khối lượng mạch điện sử dụng GTOMạch bảo vệLinh kiện GTO cần phải có mạch bảo vệ. Quá trình ngắt GTO yên cầu sử dụngxung dòng kích đủ rộng. Điều này dẫn đến thời hạn ngắt dài, năng lực di / dt và dv / dtcủa GTO thấp. Vì thế, cần phải số lượng giới hạn những trò số hoạt động giải trí không vượt quá giá trò antoàn trong quy trình ngắt GTO. H1. 28 vẽ mạch bảo vệ GTO trong quy trình ngắt. Tụđiện C dùng để bảo vệ GTO trong quy trình kích ngắt phải có giá trò điện dung lớnhơn giá trò qui đònh của đơn vị sản xuất, đạt đến độ lớn khoảng chừng vàiF. Ngoài ra, GTOđòi hỏi mạch bảo vệ chống hiện tượng kỳ lạ tăng nhanh dòng điện khi đóng. Diode của mạch bảo vệ phải có năng lực chòu gai dòng lớn chính do trong quátrình sẽ Open dòng có biên độ lớn qua diode và tụ điện. Điện trở mạch bảo vệ cótrò số nhỏ và bảo vệ tụ xả điện trọn vẹn trong khoảng chừng thời hạn đóng ngắn nhấtcủa GTO khi quản lý và vận hành. Khi GTO đóng, nguồn năng lượng tích trữ trên tụ sẽ phải tiêu tán hếttrên điện trở này. Vì thế, giá trò đònh mức hiệu suất của điện trở khá cao. Mỗi GTO có một giá trò dòng được điều khiển và tinh chỉnh cực lớn mà nếu vượt quá thìkhông thể ngắt nó bằng xung dòng ngược ở cổng Gate. Nếu trong quy trình vận hànhbộ biến hóa hiệu suất sử dụng GTO như linh kiện đóng ngắt, sự cố hoàn toàn có thể xảy ra ( ví1-26Điện tử hiệu suất 1 dụ như ngắn mạch ) gây nên hiện tượng kỳ lạ quá dòng, mạng lưới hệ thống bảo vệ phải được thiết kếđể phân biệt sự cố và ngắt GTO để bảo vệ linh kiện. Nếu như giá trò dòng qua GTOkhi sự cố xảy ra thấp hơn trò số dòng cực lớn thì hoàn toàn có thể ngắt GTO bằng xung dòngcổng âm điều khiển và tinh chỉnh với biên độ thích hợp. Nhưng nếu giá trò dòng sự cố vượt quá giátrò bảo vệ bằng xung dòng âm, cần sử dụng mạch “ bảo vệ kiểu đòn kích bẩy “ ( gồm khóacông suất mắc song song với linh kiện GTO ). Nguyên lý hoạt động giải trí của mạch bảo vệlà tạo ngắn mạch nguồn cấp điện cho GTO bằng cách kích đóng một SCR mắc songsong với linh kiện GTO. Dòng ngắn mạch làm chảy cầu chì và cắt linh kiện GTO khỏinguồn. Điều đó được minh họa trên H1. 29. Trong những năm gần đây, GTO trở thành linh kiện đóng ngắt đươc sử dụngrộng rãi cho những mạch hiệu suất lớn : một GTO loại “ nối tắt anode ” có giá trò đònhmức áp khoảng chừng 4500V và đònh mức dòng 6000A. Các giá trò tương ứng của loại GTOcho phép dẫn dòng ngược là 4500V và 3000A ( Tập đoàn Mitsubishi 1998 ). Điện áp đặt trênGTO khi dẫn điện thường cao hơn SCR ( 2-3 V ). Tốc độ đóng ngắt từ vài µs đến 25 µs. Tần số đóng ngắt khoảng chừng 100H z đến 10 kHz. Linh kiện hiệu suất sẽ trở nên chất lượng cao nếu cho độ sụt áp thấp khi dẫnđiện ( như thyristor ), nhu yếu mạch điều khiển và tinh chỉnh đơn thuần và năng lực ngắt dòng nhanh ( như IGBT ). Hiện nay, 1 số ít linh kiện như vậy đã Open trên thò trường vàù chúngcó năng lực sửa chữa thay thế dần GTO. Chúng hoàn toàn có thể xem là những dạng nâng cấp cải tiến của GTO, sản xuất theo nguyên tắc khối tích hợp ( Power Electronics Building Block – PEBB ) nhằmgiảm bớt những nhu yếu về mạch kích và làm tăng năng lực ngắt nhanh. Các linh kiệnnày gồm MTO ( MOS Turn-Off Thyristor ), ETO ( Emitter Turn-Off Thyristor ) và IGCT ( Integrated Gate-Commutated Thyristor ). Bảng B1. 7 : Các thông số kỹ thuật cơ bản của GTO FG1000BV-90DA ( Tập đoàn Mitsubishi ) Thông số Độ lớn Ghi chúDRM4. 500V Điện áp khóa đỉnh lập lại tuần hoàn cực lớn ( Repetitive peak off statevoltae ) T ( AV ) 400A Dòng trung bình ( f = 60H z dạng sin, góc dẫn 180 di / dt max 1000A / sµTốc độ tăng dòng khi đóng cực đạiTQRM1000AGiá trò dòng thuận cực lớn mà linh kiện hoàn toàn có thể tinh chỉnh và điều khiển ngắt được ( mạch bảo vệ C = 0,7 F, L = 0,3 H ). Linh kiện hoàn toàn có thể bò hỏng nếu nóthực hiện kích ngắt dòng điện lớn hơn ITQRMRRM17V Điện áp ngược đỉnh cực lớn cho phépTMMax. 4V Điện áp thuận cực đại1-27Điện tử hiệu suất 1RRMM ax. 100 mA Dòng ngược cực lớn ( tương ứng ới VRRMDRMMax. 100 mA Dòng thuận cực lớn ở trạng thái khóa. gtMax. 10 sThời gian trễ khi đónggqMax. 20 sThời gian trễ khi ngắt. GQM300A Dòng kích ngắt qua cổng GGTMax. 1,5 V Điện áp cổng khi kích đóngGTMax. 2500 mADòng điện cổng khi kích đóng1. 9 IGCT ( INTEGRATED GATE COMMUTATED THYRISTOR ) Cấu tạo và công dụng : Sự nâng cấp cải tiến công nghệ tiên tiến sản xuất GTO thyristor đã dẫn đến ý tưởng côngnghệ IGCT.GCT – Gate – Commutated Thyristor là một dạng tăng trưởng của GTO với khảnăng kéo xung dòng điện lớn bằng dòng đònh mức dẫn qua cathode về mạch cổngtrong 1 để bảo vệ ngắt nhanh dòng điện. Cấu trúc của GCT và mạch tươngđương của nó giống như của GTO.s µIGCT là linh kiện gồm GCT và có thêm 1 số ít thành phần tương hỗ, gồm có cảboard mạch điều khiển và tinh chỉnh và hoàn toàn có thể gồm cả diode ngược. Để kích đóng GCT, xung dòng điện được đưa vào cổng kích làm đóng GCTtương tự như trường hợp GTO.Để kích ngắt GCT, mối nối pn base-emitter được phân cực ngược bằngcách cung ứng điện áp nguồn ngược chiều. Điều này làm triệt tiêu dòng điện quacathode vì hàng loạt dòng điện đi qua cathode sẽ được đẩy sang mạch cổng với tốc độrất nhanh và biến GCT trở thành một transistor pnp. Để hoàn toàn có thể tạo dòng điện qua mạch cổng tăng nhanh và đủ lớn, GCT ( IGCT ) được sản xuất đặc biệt quan trọng để giảm cảm kháng mạch cổng ( mạch vòng cổng tinh chỉnh và điều khiển – cathode ) đến giá trò nhỏ nhất. Vấn đề mấu chốt của GCT là tạo năng lực tăng nhanh dòng điện qua cổng. Điều này đạt được bằng ống dẫn điện đồng trục qua mạch cổng – cathode và côngnghệ mạch tinh chỉnh và điều khiển nhiều lớp ( multilayer ). Chúng được cho phép dòng cổng tăng vớitốc độ 4 kA / khi điện thế cổng – cathode ở mức 20V. Trong thời hạn 1, transistor npn của GTO bò ngắt trọn vẹn và cực cổng của transistor pnp còn lại bòmở làm GCT bò ngắt. Do việc ngắt thực thi bằng xung dòng rất ngắn nên công suấttổn hao mạch cổng được giảm đến mức tối thiểu. Công suất tiêu thụ của GCT giảmđi khoảng chừng 5 lần so với trường hợp GTO.s µ sµLớp p phía anode được làm mỏng mảnh và làm giàu hạt mang điện chút ít để chophép khử những hạt mang điện phía anode nhanh hơn trong thời hạn ngắt. IGCT có thểtích hợp diode ngược bằng mối nối np được vẽ bên phải của hình H1. 30. Diodengược thiết yếu trong cấu trúc của những bộ nghòch lưu áp. Quá trình ngắt dòng điện của GCT bởi công dụng xung dòng kích cổng đượcvẽ minh họa trên hình H1. 32. Để hoàn toàn có thể so sánh với quy trình ngắt dòng của GTO, đồthò của dòng cổng được vẽ cho hai trường hợp. Khả năng chòu tải1-28

Source: https://dichvubachkhoa.vn
Category : Linh Kiện Và Vật Tư